浙江亚美纳米科技有限公司

产品应用
二硅化钒,制备硅化钒薄膜,用大束流密度的钒金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随束流密度的增加,硅化钒相生长,薄层硅化物的方块电阻RS下降,当束流密度为25μA/cm2 时,Rs 达到***小值22Ψ,说明连续的硅化物已经形成。X 衍射分析表明,注入层中形成了V3Si 、V5Si3 、V3Si5 和VSi2 四种硅化钒。经过退火后,Rs 明显地下降,Rs ***小可降到9Ψ,电阻率可小到72μΨm ,说明硅化钒薄层质量得到了进一步的改善,大束流密度注入和退火后,硅化钒相进一步生长。大束流密度注入和高温退火(1200 ℃)仍然具有很低的薄层电阻率,这充分说明硅化钒具很好的热稳定性。透射电子微镜观察表明,连续硅化钒薄层厚度为80nm。

包装储存
本品为充惰气塑料袋包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生氧化团聚,影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供,分装。